Snapdragon 8 Gen 2 mới ra mắt chưa bao lâu nhưng thế hệ tiếp theo đã bắt đầu rò rỉ. Theo thông tin từ Geekbench, Snapdragon 8 Gen 3 được cho là đạt điểm rất cao trong các bài kiểm tra.
Điểm hiệu năng Snapdragon 8 Gen 3 bị rò rỉ
Snapdragon 8 Gen 3 được cho là sẽ có lõi kiến trúc 1+5+2, loại bỏ đi một lõi hiệu suất từ cấu trúc 1+4+3 và tiết kiệm điện năng hơn 20% so với thế hệ trước. Mặc dù Snapdragon 8 Gen 2 đã cải thiện đáng kể những thiếu sót trước đó nhưng nó vẫn không thể cạnh tranh với A16 Bionic của Apple. Tuy nhiên, Snapdragon 8 Gen 3 thì khác, không chỉ khắc phục hết các điểm yếu mà còn có lõi ARM Cortex-X4 thế hệ mới.
Điểm số rò rỉ qua Geekbench cho thấy Snapdragon 8 Gen 3 hoạt động tốt hơn hẳn dự đoán ban đầu, vượt qua cả A16 Bionic của Apple. Cụ thể, vi xử lý đạt 1.930 và 6.236 trong các bài kiểm tra đơn và đa lõi. Trong khi dự đoán chỉ là 1.800 điểm đơn lõi và 6.500 điểm đa lõi. Theo Meeco, hiệu năng Snapdragon 8 Gen 3 tăng khoản 29% cho hiệu suất đơn lõi và 20% cho hiệu suất đa lõi.
Sẽ rất tuyệt vời nếu như điểm số hiệu năng bị rò rỉ sẽ giống như lúc ra mắt chính thức. Thế nhưng điều này khá khó xảy ra bởi Qualcomm thường sẽ điều chỉnh lại chip của mình để kiểm soát nhiệt độ.
Thông tin trên đều được Hoàng Hà Mobile tổng hợp. Đừng quên theo dõi Hoàng Hà Mobile để cập nhật các tin tức công nghệ mới nhất nhé!
Tham gia Hoàng Hà Mobile Group để cập nhật những chương trình và ưu đãi sớm nhất
Xem thêm: Trên tay nhanh Samsung Galaxy S23 Ultra – CẢI TIẾN cho trải nghiệm TỐT HƠN
Cùng Follow kênh Youtube của Hoàng Hà Mobile để cập nhật những tin tức mới nhất, sinh động nhất nhé!
